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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
22.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
18.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
16
46
Intorno -188% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
16
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
22.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
18.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3906
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
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