RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
73
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
73
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
1724
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link