RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
67
Intorno -168% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
25
Velocità di lettura, GB/s
6.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
2704
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Super Talent SUPERTALENT 2GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link