RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
67
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
35
Velocità di lettura, GB/s
6.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
3191
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link