RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
52
Intorno 63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
52
Velocità di lettura, GB/s
18.4
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
2169
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link