RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
39
Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
39
Velocità di lettura, GB/s
18.4
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
1881
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link