ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 34
    Intorno 24% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    19.1 left arrow 12.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.6 left arrow 9.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 34
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.6 left arrow 19.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.5 left arrow 12.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2174 left arrow 3178
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti