RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
35
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3164
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link