RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
27
Velocità di lettura, GB/s
12.6
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3418
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link