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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
26
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
21
Velocità di lettura, GB/s
12.6
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3427
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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