RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
34
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
34
Velocità di lettura, GB/s
12.6
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2504
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
AMD AE34G1339U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link