RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
32
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
32
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2337
3137
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link