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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Confronto
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
13.5
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2278
3149
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-144.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
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