RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Confronto
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
86
Intorno 67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
5.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
86
Velocità di lettura, GB/s
13.5
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
5.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2278
1220
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link