RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
46
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
11
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
46
Velocità di lettura, GB/s
14.1
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2228
2481
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link