RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Confronto
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
28
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.6
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
25
Velocità di lettura, GB/s
12.6
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
3774
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link