RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Confronto
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
38
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2099
2417
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link