RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Confronto
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
71
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
71
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2099
1902
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link