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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Confronto
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
40
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
35
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2021
3221
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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