RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Confronto
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
33
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.8
18.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
15.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
17
33
Velocità di lettura, GB/s
22.8
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
15.4
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3391
3574
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link