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Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Confronto
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair VS1GB800D2 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair VS1GB800D2 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
47
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,361.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
46
Velocità di lettura, GB/s
4,680.7
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,361.1
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
460
2481
Corsair VS1GB800D2 1GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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