Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Punteggio complessivo
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 11.3
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    32 left arrow 51
    Intorno -59% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.6 left arrow 1,839.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 5300
    Intorno 3.62 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    51 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,246.9 left arrow 11.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,839.1 left arrow 7.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    721 left arrow 2292
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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