RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
42
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
33
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
3035
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link