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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Confronto
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
57
Intorno 49% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
14.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
57
Velocità di lettura, GB/s
14.3
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2227
2377
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
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