RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
67
Intorno 63% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
67
Velocità di lettura, GB/s
12.1
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
2042
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link