Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.9 left arrow 10.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.7 left arrow 8.1
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    33 left arrow 41
    Intorno -24% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    41 left arrow 33
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.9 left arrow 10.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.7 left arrow 8.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2366 left arrow 2235
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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