RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
41
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
34
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
2830
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link