RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
41
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
38
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2366
2382
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link