RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Confronto
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
39
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
39
Velocità di lettura, GB/s
17.1
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.6
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2920
2221
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link