Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB

Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.1 left arrow 12
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.1 left arrow 8.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 38
    Intorno -31% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    38 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.1 left arrow 12.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.1 left arrow 8.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2264 left arrow 2171
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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