RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Confronto
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
65
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
4.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
26
Velocità di lettura, GB/s
6.1
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
4.2
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
985
3609
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link