RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Confronto
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
65
Intorno -160% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.4
4.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
25
Velocità di lettura, GB/s
6.1
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
4.2
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
985
4129
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link