RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
43
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
26
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2855
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link