RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Confronto
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Punteggio complessivo
AMD R744G2400U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R744G2400U1S 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
52
Intorno -136% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
1,479.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
22
Velocità di lettura, GB/s
4,226.4
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,479.2
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
590
2862
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GL1600D364L10/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link