RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Confronto
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
52
Intorno -136% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
1,479.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
22
Velocità di lettura, GB/s
4,226.4
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,479.2
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
590
2272
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link