RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Confronto
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
52
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
1,479.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
31
Velocità di lettura, GB/s
4,226.4
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,479.2
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
590
2361
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link