RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
27
Velocità di lettura, GB/s
13.2
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2062
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link