RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
35
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
29
Velocità di lettura, GB/s
16.2
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.7
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2644
3113
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link