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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
49
Intorno -69% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
29
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3191
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
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