RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
49
Intorno -44% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
34
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2783
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link