RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston KY7N41-MIE 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno 18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
33
Velocità di lettura, GB/s
16.7
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
2948
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link