RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
64
Intorno 58% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
9.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
16.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
64
Velocità di lettura, GB/s
16.7
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
2205
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link