RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
47
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
47
Velocità di lettura, GB/s
16.7
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
2308
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link