Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Punteggio complessivo
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 59
    Intorno 41% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.9 left arrow 7.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.3 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 17000
    Intorno 1.25 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 59
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.8 left arrow 17.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.9 left arrow 7.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2126 left arrow 1954
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