Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 29
    Intorno 3% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16 left arrow 12.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.6 left arrow 9.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.4 left arrow 16.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 12.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2329 left arrow 3291
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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