RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
44
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.4
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
44
Velocità di lettura, GB/s
12.4
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
2562
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link