RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
26
Velocità di lettura, GB/s
12.4
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2329
3842
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link