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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
29
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
12.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
23
Velocità di lettura, GB/s
12.1
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2177
2236
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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