RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3416
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link