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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
31
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
31
Velocità di lettura, GB/s
13.4
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2954
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
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